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      漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

      650

      导（dǎo）通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      70

      导通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      74

      最大漏极电流Id(on)(A)：

      47

      通道极（jí）性：

      N沟（gōu）道

      封装/温度(℃)：

      TO-247-3L/-55~125

      描述：

      650V,74mΩ,47A,N沟道基于超级结技术的功（gōng）率MOSFET


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